积的过程中，使用了氮气和氢气作为保护气。实际上制成的低阻p型氮化镓半导体，比目前日本人用氮化铝做缓冲层获得的半导体性能还要更好。通过我测得的数据，我们的p型氮化镓电阻率是，空穴浓度更是达到了310的18次方/立方厘米。”
“和日本人的电阻率，空穴浓度10的17次方/立方厘米比起，成本上的降低反而都不够看了！有了这种氮化镓外延片，蓝光led的性能和成本将降低到不可思议的程度！”
没错，胡文海现在手里捧着的这块大概2英寸大小的晶片，就是蓝光led芯片的核心技术氮化镓外延片。
和其他的半导体芯片不同，led芯片的生产核心技术并非是ic设计和光刻机，而是晶体生长技术。led芯片照明的原理很简单，就是半导体中的电流p端向n端流动的过程，p端的自由电子在n端的空穴中结合，p端和n端结合处就会产生光子辐射出。而这种pn结构的半导体，只是半导体设计中最常用的部分。
不需要太小的光刻线宽，不需要多么复杂的电路设计。后世中国很多led芯片生产厂家，设备都是从国内晶圆厂淘换的八手淘汰光刻机。可想而知，这里面的技术难点并非不可攻克。有了氮化镓外延片，光刻、封装和更下游的产业发展起只是时间问题。
而led照明的市场有多大，不用说大家都清楚。以led光源的市场，足以支撑国内再开十个新科晶圆厂级别的led芯片生产基地。有了这个基础，中国半导体行业就不用担心成长的动力不足了。
而且更美妙的一点，则是led芯片生产的资本和技术要求并没有那么高，国内的
第三百八十六章 蓝光(4/11)